Intel desarrolló una memoria 1.000 veces más rápida que la flash

Redacción de La Nueva.

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   Los fabricantes de chips Intel y Micron Technologies anunciaron la creación de una memoria 1.000 veces más rápida que la llamada memoria flash.

   La nueva memoria, desarrollada en conjunto por Intel y Micron, utiliza un diseño de chip tridimensional que permite que las computadoras almacenen y recuperen partes individuales de información más rápido que con la tecnología flash.

   Además de ser 1.000 veces más rápida que la NAND (flash), las compañías dijeron que la nueva tecnología también tiene 10 veces la capacidad de almacenamiento que otro formato, conocido como DRAM o memoria dinámica de acceso aleatorio, que puede ser más rápido pero más caro que flash. (infobae.com)